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IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一種復合型功率半導體器件，其工作原理是通過控制柵電壓來控制其集電和發(fā)射之間的電流。在IGBT中，柵電壓控制著一個由N型和P型半導體組成的雙結構，從而控制電流的流動。IGBT的優(yōu)點是具有較高的開關速度、較高的功率密度和較低的損耗。因此，IGBT廣泛應用于電力電子設備、電機控制、變頻器、逆變器等領域。